Содержание курса
1. Введение
6 уроков
150
108
6м
0
Закрытый
1.1
Введение
↗
41
41
1м 7с
0
Закрытый
1.2
Аналоговые микросхемы
↗
26
26
1м 7с
0
Закрытый
1.3
Цифровые микросхемы
↗
25
6
0м 3с
0
Закрытый
1.4
СБИС
↗
21
10
1м 28с
0
Закрытый
1.5
SoC
↗
20
8
1м 25с
0
Закрытый
1.6
Основные материалы для изготовления микросхем
↗
17
17
1м 18с
0
2. Основы физики полупроводников
5 уроков
89
74
81м
0
Закрытый
2.1
Введение в технологию изготовления микросхем
↗
18
18
1м 42с
0
Закрытый
2.2
p-n переход и принцип работы транзистора
↗
15
15
2м 11с
0
Закрытый
2.3
Основы CMOS-технологии
↗
19
19
1м 49с
0
Закрытый
2.4
Структура и топология полупроводниковых микросхем
↗
18
3
77м 32с
0
Закрытый
2.5
Цикл формирования топологических слоёв микросхем
↗
19
19
1м 46с
0
3. Производство пластин
4 урока
53
37
5м
0
Закрытый
3.1
Выращивание кристалла с помощью метода Чохральского
↗
16
2
3м 2с
0
Закрытый
3.2
Эпитаксия
↗
4
2
-
0
Закрытый
3.3
Резка, шлифовка и полировка пластин
↗
17
17
1м 42с
0
Закрытый
3.4
Изготовление фотошаблонов
↗
16
16
1м 54с
0
4. Этапы изготовления микросхем
5 уроков
88
30
4м
0
Закрытый
4.1
Принципы фотолитографии
↗
20
3
0м 4с
0
Закрытый
4.2
Диффузия и ионная имплантация
↗
16
2
2м 11с
0
Закрытый
4.3
Осаждение
↗
18
18
1м 47с
0
Закрытый
4.4
Травление
↗
16
3
1м 17с
0
Закрытый
4.5
Планаризация
↗
18
4
0м 2с
0
5. Список используемой литературы
1 урок
15
15
1м
0
Закрытый
5.1
Полезные методические материалы и используемая литература
↗
15
15
1м 49с
0